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所以领先
先进的封装技术通过在封装层面提升芯片的集成密度与性能,已成为后摩尔时代半导体产业发展的关键驱动力。下面这个表格汇总了当前主流的先进封装技术及其核心特点与应用领域。

| 技术类别 | 核心技术 | 核心特点 | 主要应用场景 |
| 晶圆级封装 (WLP) | 扇入型 (FIWLP/WLCSP) | 直接在晶圆上完成封装,尺寸与裸片相同,成本低,厚度薄。 | 消费电子(如模拟芯片、电源管理IC)。 |
| 扇出型 (FOWLP) | 将芯片重组于人工晶圆,I/O触点可超出芯片范围,集成度与散热能力更强。 | 移动处理器(如苹果A系列)、AI加速器。 | |
| 面板级封装 (PLP) | 使用超大尺寸面板进行加工,材料利用率高,单位成本低。 | 正在商业化拓展中。 | |
| 2.5D/3D封装 | 2.5D封装 | 使用硅中介层(Interposer) 和硅通孔(TSV) 实现芯片间高密度水平互连。 | 高性能计算、AI芯片(如NVIDIA/AMD GPU集成HBM)。 |
| 3D封装 | 芯片垂直堆叠,通过TSV直接互连,大幅提升带宽,降低功耗。 | 高容量存储器(如三星3D-TSV DRAM)、异构集成。 | |
| 异构集成技术 | 系统级封装 (SiP) | 将多个不同功能的芯片(处理器、存储器等)及被动元件集成于单一封装内,形成一个子系统。 | 空间受限设备(如TWS耳机、智能手表)、5G通信模块。 |
| 芯粒 (Chiplet) | 将大型SoC按功能拆分为独立的小芯片,再通过先进封装集成,提升良率,降低成本,设计灵活。 | 高性能处理器(如AMD EPYC CPU)。 | |
| 倒装芯片 (Flip-Chip) | 采用焊料凸块,芯片倒置直接连接基板,缩短互连长度,提高I/O密度和散热能力。 | 智能手机、LED、CMOS图像传感器等广泛应用。 |
了解上述技术后,你可能还会听到“中端”和“高端”先进封装的说法。这通常是根据集成密度、性能和技术复杂度来划分的。例如,复杂的2.5D/3D封装和 Chiplet 集成被视为高端领域,由台积电、英特尔、三星等巨头主导;而许多OSAT(外包半导体组装和测试)厂商则在中端市场展开竞争。
当前先进封装技术的飞速发展,主要得益于两大驱动力:
AI与高性能计算 (HPC):AI大模型训练需要巨大的算力和内存带宽,这直接导致了“内存墙”问题。通过2.5D/3D封装技术将AI处理器与HBM(高带宽内存)集成在一起,是突破这一瓶颈的关键。正因如此,台积电的CoWoS等先进封装产能成为AI芯片供应链的核心环节。
多样化市场需求:除了AI,5G通信、自动驾驶汽车、物联网设备等也对芯片的小型化、多功能化和高效散热提出了更高要求,推动了SiP、Fan-Out等技术的广泛应用。
先进封装市场的竞争格局多元,主要玩家包括晶圆代工厂、IDM(整合设备制造商)和专业的OSAT(封测代工厂)厂商。
晶圆代工与IDM巨头:
专业OSAT厂商:
总的来说,先进封装技术正朝着更高集成度(3D)、更高性能(更小延迟、更大带宽)和更低成本的方向演进。在AI与HPC的强劲驱动下,它已从半导体制造的辅助环节,转变为影响全球科技竞争格局的战略要地。
希望以上分析能帮助你全面了解先进封装技术。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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