先进封装CoWoS概述及市场应用前景分析和先进封装清洗剂介绍

一、CoWoS技术概述

1. 技术定义与结构
CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是台积电开发的2.5D先进封装技术，通过将芯片（CoW）连接至硅晶圆中介层，再整合到基板（oS）上实现多芯片互联。其核心优势在于：

• 硅中介层技术：使用微凸块（μBumps）、硅通孔（TSV）替代传统引线键合，提升互联密度和数据传输带宽。

• 分类差异：

• CoWoS-S：硅基中介层，适用于高性能计算，支持最高晶体管密度（如英伟达H100采用的CoWoS-S5，硅中介层面积达2500mm²）。

• CoWoS-L：结合RDL（重布线层）与局部硅互连（LSI），成本更低且灵活性更高，2024年已量产，未来可能成为主流。

• CoWoS-R：基于InFO技术的RDL层互联，适用于中等密度堆叠场景。

2. 技术优势与挑战

• 优势：高度集成、高速低延迟、高性价比（如H100中硅中介层成本占比仅8%）。

• 挑战：硅中介层产能受限（光刻机限制、良率损失）、HBM堆叠复杂性提升（HBM3需12层堆叠）。

二、市场应用现状

1. 主要应用领域

• AI算力芯片：英伟达H100、Blackwell系列GPU依赖CoWoS封装，占台积电CoWoS产能的50%以上。

• 高带宽内存（HBM）：HBM3/4需通过CoWoS实现与计算芯片的异构集成，HBM产能受CoWoS限制。

2. 产能与竞争格局

• 全球产能：2024年底台积电月产能达4万片，2025年预计增至8万片，整体市场月产能超9.2万片（含日月光、安靠）。

• 客户集中度：英伟达是最大客户，其Blackwell系列推动台积电2025年转向CoWoS-L工艺（占比54.6%）。

三、市场前景与发展趋势

1. 技术演进方向

• CoWoS-L主导：通过LSI替代硅中介层，降低成本并提升弹性，支持12颗HBM3堆叠，2025年第四季度成主流。

• 光电集成：台积电计划2026年整合CoWoS与硅光子（SiPh）技术，推出共封装光学器件（CPO），提升数据中心光通信效率。

2. 市场增长驱动因素

• AI需求爆发：云端AI加速器推动2025年CoWoS需求激增，英伟达GB200等产品需更高封装密度。

• 后摩尔定律时代：先进封装成提升芯片性能关键路径，2025年中国先进封装市场规模将超1100亿元（CAGR 26.5%）。

3. 中国大陆企业布局

• 长电科技、通富微电、华天科技：已掌握2.5D/3D封装技术，推进FOPLP（扇出型面板级封装）验证，有望分食HBM封装市场。

四、风险与挑战

1. 产能瓶颈：硅中介层制造难度高，65nm光刻机产能不足可能制约扩张。

2. 技术替代风险：英伟达计划2025年提前导入FOPLP技术，缓解CoWoS压力。

3. 贸易摩擦：美国芯片法案限制对中国技术出口，影响本土企业技术突破。

先进封装芯片清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。