系统级封装(SiP)、TSV与TGV技术的区别是什么以及应用场景分析和芯片封装清洗介绍

一、技术区别分析

1.  技术定位与实现方式

2. 
   

2. 性能与成本对比

二、应用场景分析

1. 系统级封装（SiP）

• 消费电子：智能手表、手机模组（集成射频、传感器等）。

• 通信模块：5G基站、毫米波芯片（多层堆叠+高频兼容）。

• 计算领域：AI芯片（异构集成CPU、GPU、HBM）。

• 
  

2. TSV技术

• 高性能计算：英伟达H100、AMD MI300（硅基转接板集成多芯片）。

• 存储堆叠：HBM内存（通过TSV实现与逻辑芯片的垂直互连）。

• 传感器集成：高端MEMS传感器（垂直互连提升精度）。

3. TGV技术

• 高频通信：射频前端模块、CPO光模块（低损耗传输）。

• AI服务器：替代硅基转接板，降低功耗与成本（如壁仞科技BR100）。

• 光电子集成：硅光芯片与电芯片垂直互连（插损≤-0.35dB）。

三、技术演进趋势

1. SiP与TSV/TGV的协同：

• 通过RDL（重布线层）+ TSV/TGV实现水平+垂直异构集成，满足Chiplet需求。

2. TGV替代TSV的潜力：

• 玻璃基板在高频、大尺寸场景逐步替代硅基，成本优势显著。

3. 应用场景扩展：

• TGV向光通信、生物医疗传感器等领域渗透，SiP向汽车电子、物联网扩展。

总结

• SiP是封装技术的“系统集成平台”，而TSV/TGV是垂直互连的“关键技术”。

• TSV成熟但成本高，TGV在高频和成本上更具优势，未来可能成为AI算力封装的核心方向。

• 三者共同推动后摩尔时代芯片性能提升，应用场景覆盖消费电子、通信、计算、传感器等多个领域。

先进封装芯片清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。