国产车规级SiC模块技术发展及市场应用情况分析和SiC模块芯片清洗介绍

国产车规级SiC模块技术发展及市场应用分析

一、技术发展现状

1. 产业链垂直整合与工艺突破
   国内企业通过IDM模式（设计-制造-封装一体化）实现全产业链布局，例如比亚迪半导体、中车时代半导体等覆盖衬底、外延、芯片设计及封装测试环节。技术工艺方面，国产厂商已实现铜线键合+银烧结封装、激光切割等先进工艺，提升模块寿命和可靠性，部分产品通过车规级AQG324认证。

2. 芯片性能与产能提升
   方正微电子、浙江晶能等企业推出1200V SiC MOSFET模块，性能对标国际主流水平。2024年国内SiC衬底产能达500万片/年，价格仅为国际水平的40%，6英寸晶圆良率显著提升，8英寸产线逐步投产。

3. 技术适配与系统优化
   国产SiC模块通过高频开关特性（40kHz以上）减少无源元件体积，系统级成本低于进口方案5%以上。例如，比亚迪1200V SiC模块功率密度提升30%，支持800V高压平台。

二、市场应用进展

1. 新能源汽车领域主导地位
   国产SiC模块在主驱逆变器、OBC（车载充电机）等场景加速渗透。2023年国内新增45款SiC车型，比亚迪、小鹏等车企采用国产SiC方案，2025年车规级SiC模块在新能源汽车渗透率预计超30%。

2. 充电桩与V2G场景爆发
   深圳V2G实测验证国产SiC模块在双向充电桩中的高效性，支持350kW快充及兆瓦级放电。2025年中国充电桩市场规模将突破1800亿元，V2G充电桩占比提升至29.3%。

3. 政策与产业集群驱动
   国家《碳化硅功率器件测试标准》及地方链长制推动国产优先采购，2023年国产SiC器件在《汽车芯片推荐目录》占比35%。深圳、无锡等地形成SiC产业集群，加速技术迭代。

三、挑战与未来趋势

1. 技术瓶颈与国际竞争
   国产SiC模块在高温稳定性、长期可靠性（如1000次温度冲击测试）及专利布局（2023年国内专利授权量增58%）仍需突破。国际厂商如英飞凌通过全球化布局和全材料体系（硅、SiC、GaN）维持优势。

2. 未来发展方向

• 技术迭代：开发适配800-1200V高压平台的模块，优化12英寸晶圆工艺，降低单位成本。

• 场景扩展：拓展至智能电网、低空经济（如无人机电源）及工业领域，2030年全球SiC市场规模预计达19.8亿美元。

• 全球化布局：通过绑定海外车企（如欧洲市场）及参与国际标准制定，打破外资技术壁垒。

四、总结

国产车规级SiC模块通过技术突破、成本优化及政策支持，已在新能源汽车和充电桩领域实现规模化应用。未来需聚焦工艺创新、场景拓展及全球化战略，以应对国际竞争并抢占全球70%的SiC产能优势。

SiC模块芯片清洗剂选择：

·         水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

·         污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

·         这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

·          研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

·          运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

·         推荐使用 水基清洗剂产品。