因为专业
所以领先
倒装焊(Flip Chip):通过凸点实现芯片与基板的直接连接,缩短信号路径,提升传输速度和稳定性。广泛应用于消费电子和高性能计算领域。
晶圆级封装(WLP):在晶圆阶段完成封装,减少切割和组装步骤,适用于小尺寸芯片和系统级封装(SiP),成本低且效率高。
2.5D/3D封装:
2.5D:通过中介层(Interposer)实现芯片间互联,如台积电的CoWoS技术,用于GPU和AI芯片的高密度集成。
3D:垂直堆叠芯片并通过硅通孔(TSV)连接,典型应用包括HBM(高带宽内存)和存储器芯片。
扇出型封装(FOWLP):将芯片嵌入基板并形成扇出结构,提升散热和布线灵活性,苹果A系列芯片即采用此技术。
异质集成:整合不同材料、工艺的芯片模块(如CPU+GPU+存储),通过先进互连技术(TSV、RDL)实现协同工作。
设备与材料:
关键设备包括固晶机(高精度定位)、植球机(凸点制造)、检测设备等,博众半导体的共晶贴片机代表高精度工艺。
材料方面,低介电常数(low-k)材料、高导热硅胶等提升电气性能和散热效率。
应用场景:GPU、AI加速器(如英伟达H100)、云端服务器。
技术需求:通过2.5D/3D封装集成HBM和计算芯片,降低数据传输延迟(如台积电CoWoS支持AMD MI300X芯片堆叠)。
智能手机:苹果A系列、华为麒麟芯片采用FOWLP和扇出封装,缩小体积并提升能效。
可穿戴设备:小型化需求推动晶圆级封装(WLP)和系统级封装(SiP)应用。
ADAS与自动驾驶:特斯拉HW4.0采用三星FOSiP封装,集成传感器和AI芯片,满足高可靠性要求。
电源管理:甬矽电子等厂商通过SiP技术整合电源模块,提升汽车电子集成度。
基站与射频前端:Qorvo等企业使用扇出封装集成射频芯片和滤波器,支持高频信号传输。
物联网终端:低功耗、小型化需求推动WLP和微凸块(MEP)技术应用。
全球先进封装市场2022年达380亿美元,预计2029年以7.7% CAGR增长至700亿美元,亚太地区占比超50%。
细分领域中,嵌入式芯片(Chiplet)、2.5D/3D封装增速最快,2025年收入将超传统封装。
代工厂主导:台积电(InFO、CoWoS)、三星(X-Cube)、英特尔(Foveros)通过技术迭代巩固优势。
设备与材料供应商:ASM、KLA提供高精度设备;杜邦、联瑞新材开发先进封装材料。
国内企业崛起:长电科技、通富微电等通过SiP和TSV技术切入高端市场,文一科技专注封装设备国产化。
技术融合:异质集成与Chiplet生态加速,如台积电SoIC实现芯片间25μm间距互联。
绿色制造:环保材料和节能工艺成为政策驱动方向,欧盟《芯片法案》要求降低封装能耗。
先进封装通过结构创新和工艺突破,成为突破摩尔定律瓶颈的关键技术。其应用已渗透至HPC、汽车、通信等核心领域,未来将向更小尺寸、更高集成度、更低功耗方向演进。市场格局中,代工厂与本土企业竞合加剧,技术迭代与生态建设是竞争焦点。
先进封装芯片清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。
推荐使用 水基清洗剂产品。