氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体，已在功率电子领域闯出一片天下
以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体，已在功率电子领域闯出一片天下。其中，碳化硅更适应高压、大电流的应用场景，制霸新能源汽车市场，产值远超主攻中低电压市场的氮化镓。而近年来，氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。
在数据中心、光伏逆变器、汽车、通信电源等市场，对产品功率密度、能效、开关频率、热管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，正好满足了各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。
“在汽车领域，目前首先量产的是激光雷达产品，也有部分厂商正在致力于开发用于汽车主逆变器的氮化镓功率元件。”
化镓在400V系统内车载充电机的应用中，可能与碳化硅材料形成竞争，但因为氮化镓材料在高压上的局限，800V系统领域短期内应该不会有竞争产生。据预测，到2025年左右，氮化镓功率元件会小批量地渗透到低功率的OBC（车载充电机）和DC-DC（直流转直流电源）中，2030年代工厂商会考虑将氮化镓移入到逆变器。
功率器件传感器清洗
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为应对能源危机和生态环境恶化等问题，世界各国均在大力发展新能源汽车、高压直流输电等新兴应用，促进了大功率电力电子变流装置的广泛应用。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分重要。装置的可靠性与其核心器件功率器件传感器清洗密切相关。
目前，大量的功率器件传感器清洗仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗，随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高，原有的传统溶剂清洗已不能满足功率器件传感器清洗清洗。对此，合明提出新型的功率器件传感器清洗清洗方案。
半水基清洗工艺解决方案，采用 专利配方，可在清洗功率器件传感器清洗凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜，更含有保护芯片独特的材料；配方材料亲水性强，清洗后易于用水漂洗干净。
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