芯片制造流程之芯片封装工艺
芯片制造流程之芯片封装工艺
芯片封装工艺，随着半导体工业的发展，目前越来越多的新型封装技术展现，比如立体封装、覆晶式封装（Flip-Chip BGA）、堆叠式封装（Stack Multi-chip package）、芯片级堆叠式封装（TSV package）、DOB（Die on Board）等，它们的工艺与上述不尽相同，但是原理上没有差别。
今天小编给大家分享一篇关于芯片封装制造工艺的几个步骤，希望能对您有所帮助！
传统的芯片封装制造工艺分为以下几个步骤：
一、减薄（Back Grind）
不同的芯片使用时需要具有不同的厚度，因此需要对芯片进行减薄。一般是应用研磨的方法。研磨的第一步为粗磨。第二步为细磨，目的是消减芯片粗磨中生成的应力破坏层，这一层一般厚度为1-2微米。
二、贴膜（Wafer Mount）
减薄之后，需要在芯片背面贴上配合划片使用的蓝膜，才可以开始划片。
三、划片（Wafer Saw）
将芯片在蓝膜上切割成颗粒状，以便于单个取出分开。一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40微米左右。
四、贴片（Die Attach）
将芯片颗粒由划片后的蓝膜上分别取下，用特殊的胶水（一般为导电银胶）与引线框架（leadframe，支架）贴合在一起，以便于下一个打线键合的工艺。
五、银胶烘焙（Epoxy Curing）
贴片工艺后需要使用高温将银胶烤干固化，温度为175℃，时间为1小时。
六、打线键合（Wire Bond）
用金属引线将芯片颗粒的金属焊接垫与支架焊接联通在一起。
七、塑封成型（Mold）
将引线键合完成的支架放入塑封模中，用塑封料（高分子，一般为环氧树脂等）把芯片、金属引线及支架包裹保护起来，同时达到塑封料外观成型的目标。
八、塑封后烘焙（Post Mold Curing）
塑封料的转换固化在模具中完成80%，然后到塑封后烘焙工艺中完成剩余的20%固化工作。此时在芯片塑封成品上要加上金属重槌，目的是消除塑封成品的跷曲现象。
九、除渣及电镀（Deflash and Plating）
将塑封成型后的残渣去除后，将引线支架电镀上一层锡（一般为含锡的合金），将来可使用表面贴芯片技术制作电路系统。
十、电镀后烘焙（Post Plating Baking）
这一步的目的是减少及延缓锡枝晶的产生，因为锡枝晶会造成芯片封装后成品的引脚短路。
十一、切筋整脚成型（Trim/Form）
塑封完成后，要对整个支架做切筋及整脚成型的动作，使单个IC从整条支架上一个一个完整的分离出来。
以上是关于芯片制造之芯片封装工艺的相关内容了，希望能对您有所帮助！
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