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先进封装混合键合解决方案与先进封装芯片清洗介绍

发布日期:2023-06-27 发布者: 浏览次数:3999
混合键合可以是晶圆到晶圆(wafer-to-wafer)、裸片到晶圆(die-to-wafer)或裸片到裸片(die-to-die)。其主要优势在于,它允许 3D 器件堆叠以实现垂直缩放和比其他芯片堆叠技术更高的互连密度。它的另一个特点是细间距键合导致更高的互连密度。这也增加了系统带宽和功率效率。速度也有所提高,因为传统的凸点被消除,而是使用直接的铜对铜键合。这形成了非常紧密的互连,并且由于焊盘是芯片结构的一部分,因此提高了键合强度和可靠性。

当电子封装行业发展到三维封装时,微凸块通过使用裸片上的小铜凸块作为晶圆级封装的一种形式来提供芯片之间的垂直互连。凸块的尺寸范围从 40 µm 间距到最终缩小到 20 µm 或 10 µm 间距。但是,这就是问题所在;缩小超过 10µm 变得非常具有挑战性,工程师们正在转向一种新的解决方案来继续缩小尺寸。混合键合通过完全避免使用凸块为 10 µm 及以下间距提供解决方案,而是使用小型铜对铜连接来连接封装中的裸片。它提供卓越的互连密度,支持类似 3D 的封装和高级内存立方体。

“混合键合是一种永久性键合,它将介电键合 (SiOx) 与嵌入金属 (Cu) 相结合以形成互连。它在整个行业被称为直接键合互连 (DBI) 。混合键合扩展了在键合界面中嵌入金属焊盘的融合键合,允许晶圆的面对面连接。”BrewerScience强调。

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因为混合键合通过紧密间隔的铜焊盘垂直连接裸片到晶圆(D2W) 或晶圆到晶圆 (W2W)。虽然 W2W 混合键合已在图像传感领域投入生产多年,但业界仍大力推动 D2W 混合键合的发展。这种发展将进一步实现异构集成,它提供了一种强大而灵活的方式来直接连接不同功能、尺寸和设计规则的芯片。

与其他键合技术相比,混合键合具有许多优势,包括:允许高级 3D 设备堆叠、最高 I/O实现10 µm以下的键合间距、更高的内存密度、扩展带宽、增加功率、提高速度效率、消除颠簸的需要,在没有功率和信号损失的情况下提高性能。

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先进封装芯片助焊剂清洗剂:

半导体芯片封装过程中通常会使用助焊剂和锡膏等作为焊接辅料,这些辅料在焊接过程或多或少都会有部分残留物,还包括制程中沾污的指印、汗液、角质和尘埃等污染物。同时,半导体组装了铝、铜、铂、镍等敏感金属和油墨字符、电磁碳膜和特殊标签等相当脆弱的功能材料。这些敏感金属和特殊功能材料对清洗剂的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工艺解决方案,可在清洗芯片封装基板的焊接残留物和污垢的同时去除金属界面高温氧化膜,保障下一道工序的金属界面结合强度;对芯片半导体基材、金属材料拥有优良的材料兼容性,清洗后易于用水漂洗干净。

欢迎使用 半水基清洗剂W3300!

以上便是芯片封装基板清洗,封装基板的主要结构和生产技术的介绍,希望可以帮到您!

 


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以上为本公司一些经验的累积,因工艺问题内容广泛,没有面面俱到,只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断的追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。

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