半导体的清洗分为干洗和湿洗
随着半导体元器件尺寸缩小到微米级，半导体制造中有效的清洗工艺对于去除残留污染物至关重要！
对于半导体清洗你又了解有多少呢？其实半导体的清洗不止一种，但是这些清洗方法都是为了保证较好的良品率。
行业里大家都知道半导体湿式清洗，实际上，清洗并非简单地在水里走几圈，而是实实在在的一套工艺，属于先进制造设备范畴，其中涉及许多物理和化学课题。
根据清洗介质的不同，半导体清洗分为湿法清洗和干法清洗。
湿法清洗：指采用去离子水和化学溶剂，辅以超声波、加热、真空等物理方法，对晶圆表面进行清洗，随后加以湿润再干燥，以去除晶圆制造过程中的污染物。湿法清洗过程化学药液基本相同，不同工艺主要差别在于辅助方法，也是湿法清洗工艺的主要难点。
干法清洗：指不使用化学溶剂的清洗技术，虽然它可清洗污染物比较单一，但在28nm及更先进技术节点的逻辑产品和存储产品中至关重要。
虽然清洗步骤中90％使用的都是湿法清洗技术，但在半导体制造中，干法和湿法在短期无法互相替代，并在各自领域向更先进方向发展。
在实际的硅片切割清洗过程中，一般按按下述办法进行清洗以去除沾污的污染物。
１、用H2O2作强氧化剂，使＂电镀＂附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
２、用无害的小直径强正离子（如 Ｈ＋），一般用 HCL 作为 H+ 的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。
３、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
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以上为本公司一些经验的累积，因工艺问题内容广泛，没有面面俱到，只对常见问题作分析，随着电子产业的不断更新换代，新的工艺问题也不断出现，本公司自成立以来不断的追求产品的创新，做到与时俱进，熟悉各种生产复杂工艺，能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
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