三星14nm弯道超车的开始( 芯片封装清洗）
三星14nm——弯道超车的开始
“三星先进的 14 纳米FinFET 工艺技术无疑是业界最先进的逻辑工艺技术，”三星系统 LSI 部门销售与营销执行副总裁说。“我们希望我们的 14 纳米移动应用处理器的生产能够进一步提高旗舰智能手机的性能，从而对移动行业的发展产生积极影响。”
从新闻稿的字里行间不难感受出这位三星部门领导人的自豪感，在高通、苹果、联发科等厂商还在用台积电的20nm工艺时，自家的Exynos处理器却能捷足先登，抢先一年用上14nm工艺，无论是性能还是能耗比，都能以碾压之势击败同期的旗舰移动处理器。
他的底气，自然是来源于三星半导体部门的14nm工艺，但这一工艺属实来之不易。
同样身为亚洲四小龙，新加坡、中国台湾与韩国这三小龙，在半导体产业蓬勃发展之际，都选择了大力引进和本地扶持，大量美国欧洲的半导体厂商涌入设厂，在承接了这部分产业之后，一部分优秀的本土厂商也趁势而起，台湾的台积电，韩国的三星电子，就是多如牛毛一般的本土厂商中的佼佼者。
三星电子因重金押注在存储上而飞黄腾达，台积电却是在晶圆代工里一往无前，两家公司在起步的初期，选择了两条不同的赛道。
随着德国的奇梦达和日本的尔必达相继破产倒闭，三星半导体在存储市场上已经触及天花板，恰好此时的智能手机崛起，以台积电为首的台湾半导体厂商大放光彩，依靠晶圆代工赚得盆满钵满，怎么能让人不心动呢？
恰逢2005年全球存储市场大跌，为了让半导体部门减少亏损，三星顺势而为，在这一年正式开启了晶圆代工的业务，
不过三星在制程上，始终落后台积电半截，台积电不仅是第一家采用浸没式光刻工艺生产90nm芯片的厂商，也是全球首家推出28nm通用工艺技术的厂商，在28nm这个关键节点中，台积电连续多年霸占市占第一名的宝座，智能手机初期较为出名的几颗高端处理器，如高通骁龙800和联发科的MT6589T使用的都是台积电的28nm工艺。
三星虽然也有自己的晶圆厂，但在制程更迭方面的就远不如做代工出身的台积电了，2005年时三星以90nm为起点，接下了高通的CDMA芯片的订单，而此时的台积电已经开始试产65nm芯片，客观技术差距，再加上三星志不在此，使得它的代工业务一直徘徊在小打小闹的层面，2005年至2009年期间，三星代工业务营收从未超过4亿美元，而同时期的台积电早已接近百亿美元。
但三星代工部门倒也不是一事无成，在这段时间里，三星找上乔布斯，从2005年的iPod Shuffle的闪存开始，为苹果代工各类芯片，其中就包括了2007年推出的iPhone，其搭载了三星S5L8900，采用了三星的90nm制程工艺，而到了三年后的iPhone 4上，苹果虽然推出了首颗自研芯片A4，但其核心布局与三星S5PC110极为相似，且采用了来自三星的45nm工艺，包括之后的A5、A5X、A6、A6X、A7，均交由三星进行代工。
芯片清洗
芯片封装清洗： 研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。
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以上为本公司一些经验的累积，因工艺问题内容广泛，没有面面俱到，只对常见问题作分析，随着电子产业的不断更新换代，新的工艺问题也不断出现，本公司自成立以来不断的追求产品的创新，做到与时俱进，熟悉各种生产复杂工艺，能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
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