中国IGBT芯片行业技术趋势(IGBT模块的清洗现状和未来的清洗趋势)
IGBT是电源转换的核心器件，由双极型三极管和MOSFET组成，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。IGBT还是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点，广泛用于新能源汽车、光伏以及智能制造领域。IGBT制造属于资本密集型行业，其产业链较长，包括芯片设计、芯片制造、模块制造、测试等环节;部分设备依赖进口，成本高昂。
一、中国IGBT芯片行业技术趋势：IGBT主要有三个发展方向
从行业整体发展规律而言，IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。
从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：
1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。
二、中国IGBT芯片行业需求情况：
IGBT凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点，成为了中大功率、中低频率电力电子设备的首选。在工作频率低于10⁵Hz的范围内，硅基IGBT是首选的功率半导体器件，其功率范围涵盖几千瓦至十兆瓦，典型的应用领域包括工业控制(变频器、逆变焊机、不间断电源等);新能源汽车(主电驱、OBC、空调、转向等);新能源发电(光伏逆变器、风电变流器);变频白电(IPM);轨道交通(牵引变流器);智能电网等。
低压IGBT一般电压在1200V及以下，且适用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域，中国本土厂商几乎都有布局低压领域。
中压IGBT一般电压在1200-2500V，适用于新能源汽车、风力发电等领域，由于碳中和计划的持续推行以及新能源领域的高速发展，该领域是中国IGBT本土厂商未来主要发力的领域。
高压IGBT一般电压大于2500V，主要适用于高铁、动车、智能电网等领域，中国本土厂商仅中车时代和斯达半导有所布局，中国高铁里程数全球第一，需求量大，促进中上游技术发展，因此该领域率先实现了国产替代。
三、IGBT模块的清洗现状和未来的清洗趋势
目前，大量的IGBT仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗，随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高，原有的传统溶剂清洗已不能满足IGBT清洗。对此，合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明半水基清洗工艺解决方案，采用合明专利配方，可在清洗IGBT凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜，更含有保护芯片独特的材料；配方材料亲水性强，清洗后易于用水漂洗干净。
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以上为本公司一些经验的累积，因工艺问题内容广泛，没有面面俱到，只对常见问题作分析，随着电子产业的不断更新换代，新的工艺问题也不断出现，本公司自成立以来不断的追求产品的创新，做到与时俱进，熟悉各种生产复杂工艺，能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
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